삼성전자가 지난 8일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스 ‘플래시 메모리 서밋 2017’에서 현존하는 세계 최대 용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 공개했다. 이날 선보인 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀의 용량이 기존 512Gb보다 2배나 커진 1Tb에 달한다. 특히 16단을 적층하는 방식으로 하나의 단품 패키지에 2TB의 구현이 가능하기 때문에 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 용량을 획기적으로 증진시킬 수 있다. 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대 용량의 SSD 제품을 오는 2018년 본격 출시할 방침이다. 삼성전자는 또 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화할 수 있는 새로운 SSD 규격 ‘NGSFF SSD’도 발표했다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 NGSFF SSD로 대체하면 동일 시스템 공간에 저장용량을 4배까지 향상시킬 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 이와 관련 16TB NGSFF SSD 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개하기도 했다. 삼성전자는 올해 4분기부터 NGSFF SSD의 양산에 돌입한 뒤 내년 1분기 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준화를 완료해 데이터센터를 비롯한 다양한 서버 고객들이 더 효율적인 시스템을 구축할 수 있도록 할 계획이다. 이외에도 삼성전자는 이번 서밋에서 성능을 획기적으로 향상시킨 ‘Z-SSD’와 비정형 데이터 저장에 특화된 ‘키 밸류(Key Value) SSD’ 등을 함께 발표했다. 이중 Z-SSD는 최적화된 동작회로 구성을 통해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD로 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠르며, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도를 구현한다. 삼성전자 진교영 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발로 고객가치를 극대화하는 한편 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에도 선제적으로 대응해 나갈 것”이라고 말했다. 
