로옴, GaN 디바이스용 초고속 게이트 드라이버 IC 개발

[지디넷코리아]

로옴 주식회사는 초고속으로 GaN(질화갈륨) 디바이스를 구동하는 게이트 드라이버 IC 'BD2311NVX-LB'를 개발했다고 21일 밝혔다.

신제품은 나노초(ns)의 게이트 구동 속도를 실현해, GaN 디바이스를 고속으로 스위칭시킬 수 있다. 이러한 특성은 GaN 디바이스에 대한 충분한 이해를 바탕으로 게이트 드라이버 IC의 성능 향상을 추구함으로써 실현할 수 있다. 최소 게이트 입력 펄스 폭 1.25ns의 고속 스위칭을 통해 어플리케이션의 소형화, 저전력화, 고성능화에 기여한다.

또한 독자적인 구동 방식을 채용함으로써, 기존에는 실현이 어려웠던 게이트 입력 파형의 오버슈트를 억제하는 기능도 탑재했다, 이를 통해 과전압 입력으로 인한 GaN 디바이스의 고장을 방지한다.

로옴의 'EcoGaN'과 함께 구성하면 세트 설계가 용이해짐과 동시에 어플리케이션의 신뢰성 향상에도 기여한다. 어플리케이션의 다양한 요구에 대해서도 게이트 저항을 조정함으로써 최적의 GaN 디바이스를 선정할 수 있다. 신제품은 2023년 9월부터 양산을 개시했다.

로옴은 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 EcoGaN 라인업으로 제공함과 동시에, 이러한 GaN 디바이스의 성능을 최대화시키는 게이트 드라이버 IC를 조합한 파워 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 사회에 기여할 수 있도록 노력하고 있다.