인텔, '2나노 핵심' ASML 차세대 EUV 장비 첫 도입

[지디넷코리아]

미국 인텔이 네덜란드 ASML의 차세대 EUV(극자외선) 장비를 업계 최초로 도입한다. 이를 통해 인텔은 최선단 파운드리 시장의 경쟁력을 한층 강화할 수 있을 것으로 전망된다.

22일 블룸버그통신 등 외신에 따르면 ASML은 이날 High-NA EUV 노광장비를 미국 오리건주에 위치한 인텔 'D1X' 공장으로 출하했다.

EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광공정에 쓰이는 광원이다. 기존 광원인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 짧아, 7나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 수요가 증가하고 있다.

이번에 ASML이 출하한 장비는 기존 EUV 대비 성능을 높인 High-NA EUV 장비다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다.

기존 EUV의 렌즈 수차가 0.33인 반면, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이 덕분에 High-NA EUV는 오는 2025년 양산을 목표로 한 2나노 공정에 필수적으로 활용될 것으로 기대를 모으고 있다.

앞서 인텔은 지난해 1분기 "업계 최초로 High-NA EUV 파일럿 장비를 주문했다"고 밝힌 바 있다. 본격적인 장비 적용 시점은 2025년으로 잡았다.

TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 기존 반도체 기업들도 곧 High-NA EUV 장비를 도입할 것으로 전망된다. 이미 장비 발주는 완료된 것으로 알려졌다.

한편 High-NA EUV 장비는 기존 EUV 장비 대비 가격이 약 2배 가량 비싼 것으로 추정된다. 업계는 기존 EUV 장비의 가격을 2천억~3천억원으로, High-NA EUV 장비는 5천억원에 달할 것으로 보고 있다.